Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão Calculadora

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Otimização de materiais VLSI

Projeto VLSI analógico

✖Capacitância de porta é a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.ⓘ Capacitância do portão [C_g]			+10% -10%
✖A capacitância da camada de óxido de porta é definida como a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.ⓘ Capacitância da camada de óxido de porta [C_ox]			+10% -10%
✖Largura da porta refere-se à distância entre a borda de um eletrodo de porta metálica e o material semicondutor adjacente em um CMOS.ⓘ Largura do portão [W_g]			+10% -10%

✖Comprimento do portão é a medida ou extensão de algo de ponta a ponta.ⓘ Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão [L_g]

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Fórmula

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Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão

Fórmula

`"L"_{"g"} = "C"_{"g"}/("C"_{"ox"}*"W"_{"g"})`

Exemplo

`"7.011663mm"="59.61μF"/("29.83μF/mm²"*"0.285mm")`

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Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Comprimento do portão = Capacitância do portão/(Capacitância da camada de óxido de porta*Largura do portão)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Comprimento do portão - (Medido em Metro) - Comprimento do portão é a medida ou extensão de algo de ponta a ponta.
Capacitância do portão - (Medido em Farad) - Capacitância de porta é a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.
Capacitância da camada de óxido de porta - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância da camada de óxido de porta é definida como a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.
Largura do portão - (Medido em Metro) - Largura da porta refere-se à distância entre a borda de um eletrodo de porta metálica e o material semicondutor adjacente em um CMOS.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância do portão: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)
Capacitância da camada de óxido de porta: 29.83 Microfarad por Milímetro Quadrado --> 29.83 Farad por metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
Largura do portão: 0.285 Milímetro --> 0.000285 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

L_g = C_g/(C_ox*W_g) --> 5.961E-05/(29.83*0.000285)

Avaliando ... ...

L_g = 0.00701166257917674

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00701166257917674 Metro -->7.01166257917674 Milímetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

7.01166257917674 ≈ 7.011663 Milímetro <-- Comprimento do portão

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI

Vai Densidade de carga da região de esgotamento em massa = -(1-((Extensão lateral da região de esgotamento com fonte+Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno)/(2*Comprimento do canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))

Coeficiente de Efeito Corporal

Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Tensão integrada de junção VLSI

Vai Tensão interna de junção = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentração do aceitante*Concentração de doadores/(Concentração Intrínseca)^2)

Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI

Vai Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensão interna de junção)/([Charge-e]*Concentração do aceitante))

Capacitância Parasítica da Fonte Total

Vai Fonte de capacitância parasita = (Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte*Área de Difusão de Fonte)+(Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral*Perímetro da parede lateral de difusão da fonte)

Corrente de saturação de canal curto VLSI

Vai Corrente de saturação de canal curto = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Tensão da fonte de drenagem de saturação

Corrente de junção

Vai Corrente de Junção = (Potência Estática/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente do portão)

Potencial de Superfície

Vai Potencial de Superfície = 2*Diferença potencial do corpo de origem*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca)

Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão

Vai Comprimento do portão = Capacitância do portão/(Capacitância da camada de óxido de porta*Largura do portão)

Capacitância de Óxido de Porta

Vai Capacitância da camada de óxido de porta = Capacitância do portão/(Largura do portão*Comprimento do portão)

Capacitância da porta

Vai Capacitância do portão = Taxa de canal/(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Coeficiente DIBL

Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Tensão de limiar

Vai Tensão de limiar = Tensão do portão para o canal-(Taxa de canal/Capacitância do portão)

Carga do canal

Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal

Vai Tensão Limite DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar para Potencial de Fonte+Tensão de limiar

Sublimiar Inclinação

Vai Inclinação Sublimiar = Diferença potencial do corpo de origem*Coeficiente DIBL*ln(10)

Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI

Vai Capacitância de óxido após escala completa = Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Fator de escala

Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI

Vai Espessura do óxido de porta após escala completa = Espessura do Óxido de Porta/Fator de escala

Capacitância de porta intrínseca

Vai Capacitância de sobreposição de porta MOS = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição

Tensão Crítica

Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Profundidade da junção após Full Scaling VLSI

Vai Profundidade da junção após escala completa = Profundidade da Junção/Fator de escala

Comprimento do canal após Full Scaling VLSI

Vai Comprimento do canal após escala completa = Comprimento do canal/Fator de escala

Largura do canal após Full Scaling VLSI

Vai Largura do canal após escala completa = Largura de banda/Fator de escala

Mobilidade em Mosfet

Vai Mobilidade em MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta

K-Prime

Vai K Prime = Mobilidade em MOSFET*Capacitância da camada de óxido de porta

Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão Fórmula

Comprimento do portão = Capacitância do portão/(Capacitância da camada de óxido de porta*Largura do portão)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)

Quais são as aplicações da camada de óxido em VLSI?

A camada de óxido tem aplicações importantes em dispositivos semicondutores. Serve como isolante de porta em transistores MOS, permitindo o controle do fluxo de elétrons. Além disso, atua como uma camada de isolamento elétrico entre diferentes componentes e interconexões, garantindo operação confiável e eficiente de circuitos integrados em aplicações como microprocessadores, dispositivos de memória e sensores.

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