समतुल्य ऑक्साईड जाडी कॅल्क्युलेटर

✖सामग्रीची जाडी ही दिलेल्या सामग्रीची जाडी आहे. हे एखाद्या वस्तूच्या पृष्ठभागावर लंबवत मोजलेल्या भौतिक परिमाणाचा संदर्भ देते.ⓘ सामग्रीची जाडी [t_high-k]			+10% -10%
✖मटेरियलचे डायलेक्ट्रिक कॉन्स्टंट हे विद्युत क्षेत्रामध्ये विद्युत ऊर्जा संचयित करण्याच्या सामग्रीच्या क्षमतेचे मोजमाप आहे.ⓘ साहित्याचा डायलेक्ट्रिक स्थिरांक [k_high-k]			+10% -10%

✖समतुल्य ऑक्साईड जाडी हे सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानामध्ये मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर (एमओएस) उपकरणामध्ये गेट डायलेक्ट्रिकच्या इन्सुलेटिंग गुणधर्मांचे वैशिष्ट्य करण्यासाठी वापरलेले मोजमाप आहे.ⓘ समतुल्य ऑक्साईड जाडी [EOT]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

समतुल्य ऑक्साईड जाडी

सुत्र

`"EOT" = "t"_{"high-k"}*(3.9/"k"_{"high-k"})`

उदाहरण

`"14.66814nm"="8.5nm"*(3.9/"2.26")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन सूत्रे PDF PDF Image

समतुल्य ऑक्साईड जाडी उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

समतुल्य ऑक्साईड जाडी = सामग्रीची जाडी*(3.9/साहित्याचा डायलेक्ट्रिक स्थिरांक)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

समतुल्य ऑक्साईड जाडी - (मध्ये मोजली मीटर) - समतुल्य ऑक्साईड जाडी हे सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानामध्ये मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर (एमओएस) उपकरणामध्ये गेट डायलेक्ट्रिकच्या इन्सुलेटिंग गुणधर्मांचे वैशिष्ट्य करण्यासाठी वापरलेले मोजमाप आहे.
सामग्रीची जाडी - (मध्ये मोजली मीटर) - सामग्रीची जाडी ही दिलेल्या सामग्रीची जाडी आहे. हे एखाद्या वस्तूच्या पृष्ठभागावर लंबवत मोजलेल्या भौतिक परिमाणाचा संदर्भ देते.
साहित्याचा डायलेक्ट्रिक स्थिरांक - मटेरियलचे डायलेक्ट्रिक कॉन्स्टंट हे विद्युत क्षेत्रामध्ये विद्युत ऊर्जा संचयित करण्याच्या सामग्रीच्या क्षमतेचे मोजमाप आहे.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

सामग्रीची जाडी: 8.5 नॅनोमीटर --> 8.5E-09 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
साहित्याचा डायलेक्ट्रिक स्थिरांक: 2.26 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

EOT = 1.46681415929204E-08

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

1.46681415929204E-08 मीटर -->14.6681415929204 नॅनोमीटर (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

14.6681415929204 ≈ 14.66814 नॅनोमीटर <-- समतुल्य ऑक्साईड जाडी

(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) » एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन » समतुल्य ऑक्साईड जाडी

जमा

ने निर्मित बानुप्रकाश

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 15 एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज

जा स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज = (पुरवठा व्होल्टेज+पीएमओएस थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+NMOS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज*sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))/(1+sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव

जा सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))

दाता डोपंट एकाग्रता

जा दाता डोपंट एकाग्रता = (संपृक्तता वर्तमान*ट्रान्झिस्टरची लांबी)/([Charge-e]*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह

जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)

स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता

जा स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता = 1/(2*pi*ट्रान्झिस्टरची लांबी*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*[Charge-e]*भोक गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)

जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता

जा जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता = संदर्भ एकाग्रता*exp(-घन विद्राव्यतेसाठी सक्रियता ऊर्जा/([BoltZ]*परिपूर्ण तापमान))

प्रसार वेळ

जा प्रसार वेळ = 0.7*पास ट्रान्झिस्टरची संख्या*((पास ट्रान्झिस्टरची संख्या+1)/2)*MOSFET मध्ये प्रतिकार*लोड कॅपेसिटन्स

मुक्त इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता

जा इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते

जा छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

चॅनेल प्रतिकार

जा चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)

MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता

जा MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता = MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स/(गेट सोर्स कॅपेसिटन्स+गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स)

गंभीर परिमाण

जा गंभीर परिमाण = प्रक्रिया अवलंबित स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/संख्यात्मक छिद्र

फोकसची खोली

जा फोकसची खोली = आनुपातिकता घटक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/(संख्यात्मक छिद्र^2)

प्रति वेफर मरणे

जा डाई प्रति वेफर = (pi*वेफर व्यास^2)/(4*प्रत्येक डाईचा आकार)

समतुल्य ऑक्साईड जाडी

जा समतुल्य ऑक्साईड जाडी = सामग्रीची जाडी*(3.9/साहित्याचा डायलेक्ट्रिक स्थिरांक)

समतुल्य ऑक्साईड जाडी सुत्र

समतुल्य ऑक्साईड जाडी = सामग्रीची जाडी*(3.9/साहित्याचा डायलेक्ट्रिक स्थिरांक)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!