Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov Calculadora

✖O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.ⓘ Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonteⓘ Proporção da tela [WL]			+10% -10%
✖A tensão efetiva é a tensão CC equivalente que produziria a mesma quantidade de dissipação de energia em uma carga resistiva que a tensão CA sendo medida.ⓘ Tensão efetiva [V_ov]			+10% -10%

✖A corrente de dreno de saturação abaixo da tensão limite é definida como a corrente abaixo do limite e varia exponencialmente com a tensão do portão para a fonte.ⓘ Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov [I_ds]

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Fórmula

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Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

Fórmula

`"I"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"WL"*("V"_{"ov"})^2`

Exemplo

`"29.39328mA"=1/2*"2.1mS"*"6"*("2.16V")^2`

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Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Corrente de drenagem de saturação - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno de saturação abaixo da tensão limite é definida como a corrente abaixo do limite e varia exponencialmente com a tensão do portão para a fonte.
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Proporção da tela - A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte
Tensão efetiva - (Medido em Volt) - A tensão efetiva é a tensão CC equivalente que produziria a mesma quantidade de dissipação de energia em uma carga resistiva que a tensão CA sendo medida.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Proporção da tela: 6 --> Nenhuma conversão necessária
Tensão efetiva: 2.16 Volt --> 2.16 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2 --> 1/2*0.0021*6*(2.16)^2

Avaliando ... ...

I_ds = 0.02939328

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.02939328 Ampere -->29.39328 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

29.39328 Miliamperes <-- Corrente de drenagem de saturação

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 14 Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)

Efeito corporal em PMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte

Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2

Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

Vai Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido

Corrente de dreno da fonte para o dreno

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal)

Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte)

Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Corrente no canal de inversão do PMOS

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Velocidade de deriva da inversão)

Carga da Camada de Inversão em PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar)

Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

Vai Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal

Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido

Tensão Overdrive do PMOS

Vai Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)

Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov Fórmula

Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2

O que é dreno de corrente no MOSFET?

A corrente de drenagem abaixo da tensão limite é definida como a corrente subliminar e varia exponencialmente com Vgs. A recíproca da inclinação do log (Ids) vs. característica Vgs é definida como a inclinação do sublimiar, S, e é uma das métricas de desempenho mais críticas para MOSFETs em aplicativos lógicos.

De que maneira a corrente flui em um PMOS?

Em um NMOS, os elétrons são os portadores de carga. Assim, os elétrons viajam da Fonte para o Dreno (o que significa que a corrente vai de Dreno> Fonte). Em um PMOS, os buracos são os portadores de carga1. Assim, os buracos viajam da Fonte para o Dreno.

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