MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स कॅल्क्युलेटर

✖इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी इलेक्ट्रिक फील्डच्या प्रतिसादात इलेक्ट्रॉन सामग्रीमधून किती वेगाने फिरू शकतात याचे वर्णन करते.ⓘ इलेक्ट्रॉन गतिशीलता [μ_n]			+10% -10%
✖ऑक्साइड कॅपेसिटन्स म्हणजे मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर (एमओएस) स्ट्रक्चरमधील इन्सुलेटिंग ऑक्साइड लेयरशी संबंधित कॅपेसिटन्स, जसे की MOSFETs मध्ये.ⓘ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स [C_ox]			+10% -10%
✖ट्रान्झिस्टरची रुंदी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या रुंदीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.ⓘ ट्रान्झिस्टरची रुंदी [W_t]			+10% -10%
✖ट्रान्झिस्टरची लांबी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या लांबीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.ⓘ ट्रान्झिस्टरची लांबी [L_t]			+10% -10%
✖ड्रेन करंट म्हणजे ट्रान्झिस्टरच्या ड्रेन आणि स्त्रोत टर्मिनल्स दरम्यान वाहणारा विद्युतप्रवाह चालू असताना.ⓘ ड्रेन करंट [I_d]			+10% -10%

✖MOSFET मधील ट्रान्सकंडक्टन्स हे मुख्य पॅरामीटर आहे जे इनपुट व्होल्टेज आणि आउटपुट करंट यांच्यातील संबंधांचे वर्णन करते.ⓘ MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स [g_m]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

सुत्र

`"g"_{"m"} = sqrt(2*"μ"_{"n"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"t"}/"L"_{"t"})*"I"_{"d"})`

उदाहरण

`"2.286578S"=sqrt(2*"30m²/V*s"*"3.9F"*("5.5μm"/"3.2μm")*"0.013A")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET वैशिष्ट्ये सूत्रे PDF PDF Image

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(ट्रान्झिस्टरची रुंदी/ट्रान्झिस्टरची लांबी)*ड्रेन करंट)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)
हे सूत्र 1 कार्ये, 6 व्हेरिएबल्स वापरते

कार्ये वापरली

sqrt - स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते., sqrt(Number)

व्हेरिएबल्स वापरलेले

MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - MOSFET मधील ट्रान्सकंडक्टन्स हे मुख्य पॅरामीटर आहे जे इनपुट व्होल्टेज आणि आउटपुट करंट यांच्यातील संबंधांचे वर्णन करते.
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी इलेक्ट्रिक फील्डच्या प्रतिसादात इलेक्ट्रॉन सामग्रीमधून किती वेगाने फिरू शकतात याचे वर्णन करते.
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - ऑक्साइड कॅपेसिटन्स म्हणजे मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर (एमओएस) स्ट्रक्चरमधील इन्सुलेटिंग ऑक्साइड लेयरशी संबंधित कॅपेसिटन्स, जसे की MOSFETs मध्ये.
ट्रान्झिस्टरची रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - ट्रान्झिस्टरची रुंदी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या रुंदीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.
ट्रान्झिस्टरची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - ट्रान्झिस्टरची लांबी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या लांबीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.
ड्रेन करंट - (मध्ये मोजली अँपिअर) - ड्रेन करंट म्हणजे ट्रान्झिस्टरच्या ड्रेन आणि स्त्रोत टर्मिनल्स दरम्यान वाहणारा विद्युतप्रवाह चालू असताना.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

इलेक्ट्रॉन गतिशीलता: 30 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> 30 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स: 3.9 फॅरड --> 3.9 फॅरड कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ट्रान्झिस्टरची रुंदी: 5.5 मायक्रोमीटर --> 5.5E-06 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
ट्रान्झिस्टरची लांबी: 3.2 मायक्रोमीटर --> 3.2E-06 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
ड्रेन करंट: 0.013 अँपिअर --> 0.013 अँपिअर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d) --> sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

g_m = 2.28657768291392

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

2.28657768291392 सीमेन्स --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

2.28657768291392 ≈ 2.286578 सीमेन्स <-- MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET वैशिष्ट्ये » MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जमा

ने निर्मित बानुप्रकाश

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 16 MOSFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण

जा चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जा MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(ट्रान्झिस्टरची रुंदी/ट्रान्झिस्टरची लांबी)*ड्रेन करंट)

MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे

जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता

जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))

बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ

जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)

लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे

जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)

MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट

जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)