Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern Taschenrechner

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Halbleitereigenschaften

Betriebsparameter des Transistors

Diodeneigenschaften

Elektrostatische Parameter

Ladungsträgereigenschaften

✖Die intrinsische Trägerkonzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.ⓘ Intrinsische Trägerkonzentration [n_i]			+10% -10%
✖Die Minoritätsträgerkonzentration ist die Anzahl der Träger im Valenzband ohne extern angelegte Vorspannung.ⓘ Konzentration von Minderheitsträgern [p₀]			+10% -10%

✖Majority Carrier Concentration ist die Anzahl der Träger im Leitungsband ohne extern angelegte Vorspannung.ⓘ Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern [n₀]

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Formel

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Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern

Formel

`"n"_{"0"} = "n"_{"i"}^2/"p"_{"0"}`

Beispiel

`"1.6E^8/m³"=("1.2e8/m³")^2/"9.1e7/m³"`

Taschenrechner

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Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern
n₀ = n_i^2/p₀
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Konzentration der Mehrheit der Träger - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Majority Carrier Concentration ist die Anzahl der Träger im Leitungsband ohne extern angelegte Vorspannung.
Intrinsische Trägerkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Trägerkonzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.
Konzentration von Minderheitsträgern - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Minoritätsträgerkonzentration ist die Anzahl der Träger im Valenzband ohne extern angelegte Vorspannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Intrinsische Trägerkonzentration: 120000000 1 pro Kubikmeter --> 120000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Konzentration von Minderheitsträgern: 91000000 1 pro Kubikmeter --> 91000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

n₀ = n_i^2/p₀ --> 120000000^2/91000000

Auswerten ... ...

n₀ = 158241758.241758

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

158241758.241758 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 pro Kubikmeter <-- Konzentration der Mehrheit der Träger

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 Halbleitereigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit in Halbleitern

Gehen Leitfähigkeit = (Elektronendichte*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons)+(Lochdichte*[Charge-e]*Mobilität von Löchern)

Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion

Gehen Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion = 1/(1+e^((Fermi-Niveau-Energie-Fermi-Niveau-Energie)/([BoltZ]*Temperatur)))

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ) = Spenderkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons

Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für P-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (p-Typ) = Akzeptorkonzentration*[Charge-e]*Mobilität von Löchern

Elektronendiffusionslänge

Gehen Elektronendiffusionslänge = sqrt(Elektronendiffusionskonstante*Minority Carrier Lifetime)

Energiebandlücke

Gehen Energiebandlücke = Energiebandlücke bei 0K-(Temperatur*Materialspezifische Konstante)

Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Mehrheitsträgerkonzentration im Halbleiter für p-Typ

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter

Gehen Intrinsischer Fermi-Level-Halbleiter = (Leitungsbandenergie+Volantband-Energie)/2

Mobilität von Ladungsträgern

Gehen Ladungsträgermobilität = Driftgeschwindigkeit/Elektrische Feldstärke

Driftstromdichte

Gehen Driftstromdichte = Löcher Stromdichte+Elektronenstromdichte

Sättigungsspannung unter Verwendung der Schwellenspannung

Gehen Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Elektrisches Feld aufgrund der Hall-Spannung

Gehen Hall elektrisches Feld = Hall-Spannung/Leiterbreite

Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern Formel

Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern
n₀ = n_i^2/p₀

Was ist ein Massenaktionsgesetz?

In einem Halbleiter im thermischen Gleichgewicht (bei konstanter Temperatur) ist das Produkt aus Löchern und Elektronen immer konstant und gleich dem Quadrat des intrinsischen Halbleiters.

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