Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza calcolatrice

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✖La concentrazione di buchi nella banda di valenza si riferisce alla quantità o all'abbondanza di buchi presenti nella banda di valenza di un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione dei buchi nella banda di Valance [p₀]			+10% -10%
✖La funzione di Fermi è definita come un termine usato per descrivere la parte superiore della raccolta dei livelli di energia degli elettroni alla temperatura dello zero assoluto.ⓘ Funzione di Fermi [f_E]			+10% -10%

✖La densità di stato effettiva nella banda di valenza è definita come la banda di orbitali elettronici da cui gli elettroni possono saltare fuori, spostandosi nella banda di conduzione quando eccitati.ⓘ Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza [N_v]

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Formula

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Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza

Formula

`"N"_{"v"} = "p"_{"0"}/(1-"f"_{"E"})`

Esempio

`"2.4E^11/m³"="2.3e11/m³"/(1-"0.022")`

Calcolatrice

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Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)
N_v = p₀/(1-f_E)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Densità di stato effettiva in banda di valenza - (Misurato in 1 per metro cubo) - La densità di stato effettiva nella banda di valenza è definita come la banda di orbitali elettronici da cui gli elettroni possono saltare fuori, spostandosi nella banda di conduzione quando eccitati.
Concentrazione dei buchi nella banda di Valance - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di buchi nella banda di valenza si riferisce alla quantità o all'abbondanza di buchi presenti nella banda di valenza di un materiale semiconduttore.
Funzione di Fermi - La funzione di Fermi è definita come un termine usato per descrivere la parte superiore della raccolta dei livelli di energia degli elettroni alla temperatura dello zero assoluto.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione dei buchi nella banda di Valance: 230000000000 1 per metro cubo --> 230000000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Funzione di Fermi: 0.022 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

N_v = p₀/(1-f_E) --> 230000000000/(1-0.022)

Valutare ... ...

N_v = 235173824130.879

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

235173824130.879 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

235173824130.879 ≈ 2.4E+11 1 per metro cubo <-- Densità di stato effettiva in banda di valenza

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 20 Banda Energetica Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))

Concentrazione di elettroni in stato stazionario

Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori

Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb

Partire Energia dell'elettrone = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Concentrazione in banda di conduzione

Partire Concentrazione elettronica in banda di conduzione = Densità di stato effettiva in banda di conduzione*Funzione di Fermi

Densità effettiva di stato

Partire Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi

Funzione di Fermi

Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione

Concentrazione dei buchi nella banda di valenza

Partire Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)

Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza

Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)

Ricombinazione a vita

Partire Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1

Coefficiente di distribuzione

Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido

Concentrazione liquida

Partire Concentrazione di impurità nel liquido = Concentrazione di impurità nel solido/Coefficiente di distribuzione

Tasso netto di variazione della banda di conduzione

Partire Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)

Tasso di generazione termica

Partire Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)

Eccessiva concentrazione del vettore

Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita

Velocità di generazione ottica

Partire Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita

Energia della banda di conduzione

Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza

Energia della banda di valenza

Partire Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico

Divario energetico

Partire Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza

Energia fotoelettronica

Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

< 15 Porta semiconduttori Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))

Densità del flusso di elettroni

Partire Densità del flusso di elettroni = (Elettrone a cammino libero medio/(2*Tempo))*Differenza nella concentrazione di elettroni

Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone

Partire Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone = ([Coulomb]*Numero quantico^2*[hP]^2)/(Massa della particella*[Charge-e]^2)

Stato quantico

Partire Energia in stato quantico = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa della particella*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Funzione di Fermi

Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione

Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza

Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)

Coefficiente di distribuzione

Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido

Densità della corrente elettronica

Partire Densità di corrente elettronica = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente del foro

Densità di corrente del foro

Partire Densità di corrente del foro = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente elettronica

Moltiplicazione di elettroni

Partire Moltiplicazione elettronica = Numero di elettroni fuori regione/Numero di elettroni nella regione

Tempo medio speso per buca

Partire Tempo medio speso per buca = Velocità di generazione ottica*Decadimento del vettore maggioritario

Eccessiva concentrazione del vettore

Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita

Energia della banda di conduzione

Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza

Energia fotoelettronica

Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza Formula

Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)
N_v = p₀/(1-f_E)

Come si determina la densità effettiva degli stati nella banda di conduzione?

La densità effettiva degli stati dipende dalla temperatura e può essere ottenuta da: Nc(T) = Nc(300K) (T/300) 3/2 dove Nc(300K) è la densità effettiva degli stati a 300K

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